求助MW150R V8固件烧写问题

lbq691***

我把水星MW150r v8路由原flash芯片EN25QH16-104内的固件备份出来
为何用编程器烧写到SST25VF064，8M的flash中不能用，烧写在华邦的W25Q16，2M的flash芯片上又能正常使用。
应该不是因为SST公司的芯片8M比之前的2M大而不能用吧？？？？！可能是SST公司的芯片时序有所差异是吗？
难道是2M与8M的读写指令不一样？？不会只是读写地址不一样呀！8M的比2M的多而为什么用8M的flash芯片写入2M的固件会不正常呢？2M芯片能有的地址空间8M的都有呀！难道固件还自动计算识别flash的容量大小吗？之前玩AT89S51与AT89S52的单片机时都能将AT89S51小容量的烧写到AT89S52大容量的芯片中呀！请指教，谢谢!{:soso_e181:}{:soso_e157:}

lbq691***

兄弟们我已验证 原机2M的Q16-104-HIP flash备份的文件完全可写入大于2M的Q32-104-HIP flash芯片中且正常使用，那要改什么头尾呀？SST公司的芯片不完全兼容EON公司的有很多种高速读写时程SST的没有的。